박막 및 고온 열처리(thermal annealing) 공정의 스트레스를 이해하고 제어하는 것은 원하는 광학, 전자 및 기계적 특성을 달성하는 데 매우 중요합니다.
오늘날의 많은 고성능 장비는 특정 특성에 맞춰 개별 레이어 내에서 “내장된” 스트레스에 의존하거나 그와 함께 설계되어야 합니다. 하지만 박막 스트레스의 원치 않는 변화는 제작 과정의 어느 단계에서든 나타날 수 있으며 기기 성능 저하와 증착된 박막의 박리 또는 균열을 야기할 수 있습니다.
XRD 또는 표면 프로파일링과 같은 기존의 ex situ스트레스/변형률 측정 방법은 공정이 완료된 후에만 전체 스트레스를 측정하고, 공정 중에 발생하는 박막 스트레스의 동적 변화를 완전히 놓칩니다. 공정 중에 in situ스트레스/변형률을 측정할 수 있는 것은 매 공정 단계에서 샘플로 유도되는 전체 스트레스를 제어하고 목표로 삼기 위한 메커니즘과 방법에 대한 중요한 통찰력을 제공합니다.
