성장 중에 실시간으로 발생하는 박막 스트레스과 변형률은 박막 성능과 신뢰도에 영향을 미칩니다. k-Space는 kSA MOS 광학 기반 기술 기반으로 박막 스트레스과 변형률을 측정하는 4가지 장치를 제공합니다. kSAMOS는 MBE, 스퍼터링, PLD, 전자빔 진공 증착, 열 처리 등의 공정에서 실시간 측정을 위해 사용됩니다. MOCVD의 경우, kSA ICE는 실시간 in situ 모듈 시스템을 제공합니다. kSA MOS UltraScan 및 kSA MOS ThermalScan은 웨이퍼, 미러, 글라스 등 ex situ 로사용됩니다.
박막 스트레스 및 변형률
실시간 박막 스트레스, 변형률 및 웨이퍼 곡률
kSA MOS
박막 또는 기판/웨이퍼에서의 열 공정에 의해 유도된 실시간 박막 스트레스, 박막 변형률 및 웨이퍼 곡률을 측정하는데 사용하는In Situ 장비입니다.
kSA ICE
MOS 모듈: 박막 또는 기판/웨이퍼에서의 열 공정에 의해 유도된 실시간 필름 스트레스, 필름 변형률 및 웨이퍼 곡률을 측정하는데 사용하는 실시간 모듈식 장치로서 고속 또는 저속 회전 및 광학적 접근이 제한된 MOCVD 증착쳄버에 사용하기 이상적입니다.
엑스-시츄 박막 스트레스, 변형률, 웨이퍼 곡률, 휨(bow) 및 틸트
kSA MOS Ultra/ThermalScan
박막 또는 기판/웨이퍼에서의 열 공정에 의해 유도된 박막 스트레스, 박막 변형률, 웨이퍼 곡률, 휨(bow), 틸트 측정을 위해 Full 2D 웨이퍼 맵핑을 갖춘 Ex-situ장치입니다.
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귀하의 애플리케이션에 꼭 맞는 계측 솔루션을 통합하는 데 있어 궁금한 점이 있으시면 저희 k-Space 기술 영업 엔지니어들이 성심 성의껏 답변 드리겠습니다.
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