박막 또는 기판/웨이퍼에서의 열 공정에 의해 유도된 실시간 박막 스트레스, 박막 변형률 및 웨이퍼 곡률을 측정하는데 사용하는In Situ 장비입니다.
박막 또는 기판/웨이퍼에서의 열 공정에 의해 유도된 실시간 박막 스트레스, 박막 변형률 및 웨이퍼 곡률을 측정하는데 사용하는In Situ 장비입니다.
MOS 모듈: 박막 또는 기판/웨이퍼에서의 열 공정에 의해 유도된 실시간 필름 스트레스, 필름 변형률 및 웨이퍼 곡률을 측정하는데 사용하는 실시간 모듈식 장치로서 고속 또는 저속 회전 및 광학적 접근이 제한된 MOCVD 증착쳄버에 사용하기 이상적입니다.
박막 또는 기판/웨이퍼에서의 열 공정에 의해 유도된 박막 스트레스, 박막 변형률, 웨이퍼 곡률, 휨(bow), 틸트 측정을 위해 Full 2D 웨이퍼 맵핑을 갖춘 Ex-situ장치입니다.